单粒子翻转二维成像技术  

Technique of Single Event Upset mapping

作　　者：史淑廷[1] 郭刚[1] 王鼎 刘建成[1] 惠宁[1] 沈东军[1] 高丽娟[1] 苏秀娣[2] 陆虹[2] 

机构地区：[1]中国原子能科学研究院核物理所,北京102413 [2]中国电子科技集团公司第47研究所,辽宁沈阳110000

出　　处：《信息与电子工程》2012年第5期608-612,共5页information and electronic engineering

基　　金：国家自然科学基金资助项目(11105230)

摘　　要：为了给星用半导体器件不同区域的单粒子翻转(SEU)机理研究提供一种高效、可靠手段,基于北京HI-13串列加速器,从重离子微束辐照技术和存储器单粒子效应检测技术这2方面,对微电子器件SEU二维成像测试技术进行了研究,建立了基于虚拟技术的测试系统。利用该成像技术,对国产2 kbit静态随机存储器(SRAM)的SEU敏感区域进行了实验研究,结果与理论结果及以往手动测试实验结果一致。To study the Single Event Upset(SEU) mechanism in different regions of Integrated Circuits(IC),a SEU mapping system was established on heavy ion micro-beam facility in Beijing HI-13 Tandem Accelerator.It produces micron-resolution maps when single-event upsets occur during ion irradiation of integrated circuits.From these upset maps,the identity and size of a circuit’s upset-prone components can be directly determined.Utilizing this system,a 2 kbit Static Random Access Memory(SRAM)(made in China) SEU map was obtained,which accorded well with the theoretical results and the earlier experiment results.

关 键 词：单粒子翻转成像 重离子微束 随机静态存储器 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]