苏秀娣

作品数：11被引量：10H指数：2
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发文主题：单粒子翻转IC集成电路抗辐射SRAM更多>>
发文领域：电子电信核科学技术自动化与计算机技术航空宇航科学技术更多>>
发文期刊：《微处理机》《核技术》《Journal of Semiconductors》《中国原子能科学研究院年报》更多>>
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单粒子翻转二维成像技术被引量：5
《信息与电子工程》2012年第5期608-612,共5页史淑廷 郭刚 王鼎 刘建成 惠宁 沈东军 高丽娟 苏秀娣 陆虹 
国家自然科学基金资助项目(11105230)
为了给星用半导体器件不同区域的单粒子翻转(SEU)机理研究提供一种高效、可靠手段,基于北京HI-13串列加速器,从重离子微束辐照技术和存储器单粒子效应检测技术这2方面,对微电子器件SEU二维成像测试技术进行了研究,建立了基于虚拟技术的...
关键词：单粒子翻转成像 重离子微束 随机静态存储器 
利用重离子微束确定国产2K SRAM单粒子翻转敏感区域
《中国原子能科学研究院年报》2005年第1期106-107,共2页郭刚 惠宁 陈泉 沈东军 许谨诚 贺朝会 郭红霞 李永宏 罗尹虹 姚志斌 张风祁 苏秀娣 李巍 
国家自然科学基金资助项目(10375097);中核预研基金资助项目(4160205030503)
关键词：单粒子翻转 重离子微束 敏感区 SRAM HI-13串列加速器 静态随机存储器 
扫描电子显微镜在半导体工艺中的应用技术研究被引量：1
《微处理机》2004年第3期10-11,共2页王嵩宇 徐宁 袁凯 苏秀娣 许仲德 李宏 林厚军 
针对半导体工艺的需要 ,本文提供了利用扫描电子显微镜进行分析的机理及采用的关键技术手段。
关键词：扫描电子显微镜 解理 缀饰 
54HCT244高速CMOS电路交流特性辐照退化研究
《核技术》2003年第4期287-290,共4页艾尔肯 严荣良 余学锋 郭旗 陆妩 任迪远 苏秀娣 
本文研究了国产高速CMOS电路54HCT244八缓冲器/线驱动器在60Co辐照下,交流特性退化与总剂量、剂量率、辐照偏置和工艺条件的关系。研究表明,在低剂量率辐照下,延迟时间TPHL退化比高剂量率辐照下严重,且对加固电路,这一交流特性退化的剂...
关键词：高速CMOS电路 交流特性 辐射退化 卫星 电子系统 设计 空间辐射 
64×64元IRFPA CMOS读出电路的研制
《微处理机》2001年第4期13-15,共3页袁凯 杨筱莉 苏秀娣 董岩 詹立升 
64× 64元 IRFPA CMOS读出电路是为红外探测器配套使用的数据处理芯片 ,用于对红外探测器产生的信号进行积分采样并且串行输出。为提高灵敏度及改善信号质量 ,取样电路的源跟随器的两个 NMOSFET采用了零开启电压 ;并且采用了双采样结构 ...
关键词：数模混合集成电路 信号读出电路 IRFPACMOS 红外探测器 
CMOS/SOD抗核加固电路辐照后的恢复特性
《吉林大学自然科学学报》1999年第3期72-74,共3页王怀荣 姚达 苏秀娣 许仲德 陆剑侠 顾长志 金曾孙 
以金刚石膜作为绝缘埋层， 利用金刚石膜上的薄层硅（ Ｓ Ｏ Ｄ）技术， 制作 ５４ Ｈ Ｃ Ｔ０３ Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ／ Ｓ Ｏ Ｄ 结构的集成电路． 对该电路在辐照后的恢复特性进行研究． 结果表明， Ｓ Ｏ Ｄ 电路在大剂量辐照后的恢复能...
关键词：集成电路 抗辐射 恢复 CMOS/SOD电路 抗核加固 
IC抗辐射加固的方法被引量：4
《微处理机》1998年第4期18-19,32,共3页陈桂梅 许仲德 苏秀娣 
本文主要介绍电离辐射引起的CMOS集成电路的失效机理，并结合我所研制的L54HCT型抗辐射加固电路，提出了抗辐射加固技术的方法。
关键词：抗辐射加固 L54HCT 集成电路 CMOS电路 
CMOS/SOD电路的高温工作特性
《Journal of Semiconductors》1997年第9期688-691,共4页顾长志 金曾孙 孟强 邹广田 陆剑侠 苏秀娣 许仲德 姚达 王怀荣 
采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘理层，利用金刚石膜上的薄层硅（SOD）技术，制作了54HCTO3CMOS／SOD结构的集成电路．对该电路高温下的工作特性进行了研究．结果表明SOD电路在350℃下仍具有正常的逻辑功能，...
关键词：金刚石膜 CMOS/SOD IC 高温工作特性 
L82C52串行控制器研制
《微处理机》1996年第2期12-18,共7页喻德顺 王忆文 姜庆祥 苏秀娣 
本文简明介绍了L82C52串行控制器的主要功能、制造工艺和测试，并对其基本电路及版图设计特点进行了较详细地分析。
关键词：串行控制器 单片集成电路 控制器 
L82C51串行通讯接口研制
《微处理机》1993年第4期1-7,共7页喻德顺 苏秀娣 朱恒静 
本文介绍了L82C51芯片电路的基本功能,关键制造工艺,测试方法。分析了该芯片版图设计特点及V_T控制方法。
关键词：芯片 串行通讯 接口设备 
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