利用重离子微束确定国产2K SRAM单粒子翻转敏感区域  

作　　者：郭刚 惠宁 陈泉 沈东军 许谨诚 贺朝会[2] 郭红霞[2] 李永宏[2] 罗尹虹[2] 姚志斌[2] 张风祁[2] 苏秀娣[3] 李巍[3] 

机构地区：[1]不详 [2]西北核技术研究所 [3]东北微电子研究所

出　　处：《中国原子能科学研究院年报》2005年第1期106-107,共2页

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10375097);中核预研基金资助项目(4160205030503)

关 键 词：单粒子翻转 重离子微束 敏感区 SRAM HI-13串列加速器 静态随机存储器 

分 类 号：TL52[核科学技术—核技术及应用]