CMOS/SOD抗核加固电路辐照后的恢复特性  

The Recovery Characteristics of Radiated C M O S/ S O D Circuit

作　　者：王怀荣[1] 姚达[1] 苏秀娣[1] 许仲德[1] 陆剑侠[1] 顾长志[2] 金曾孙[2] 

机构地区：[1]东北微电子研究所,沈阳110035 [2]吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春130023

出　　处：《吉林大学自然科学学报》1999年第3期72-74,共3页Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Jilinensis

摘　　要：以金刚石膜作为绝缘埋层， 利用金刚石膜上的薄层硅（ Ｓ Ｏ Ｄ）技术， 制作 ５４ Ｈ Ｃ Ｔ０３ Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ／ Ｓ Ｏ Ｄ 结构的集成电路． 对该电路在辐照后的恢复特性进行研究． 结果表明， Ｓ Ｏ Ｄ 电路在大剂量辐照后的恢复能力明显强于体硅电路； 常规非辐照环境下的高温退火工艺更有利于辐照后的 Ｓ Ｏ ＤDiam ond film w as used as buried insulator in silicon on diam ond ( S O D) technology.54 H C T03 C M O S/ S O D integrated circuit w as fabricated by using S O D w afer. The recovery character istics of the S O D circuit under radiation w ere studied, and the results show that the recovery ability ofthe S O D circuit is clearly higher than that of bulk silicon circuit. Annealing technique is advandageousto the quick recovery of the radiated S O D circuit.

关 键 词：集成电路 抗辐射 恢复 CMOS/SOD电路 抗核加固 

分 类 号：TN430.6[电子电信—微电子学与固体电子学]