许仲德

作品数:7被引量:2H指数:1
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供职机构:中国电子科技集团公司第四十七研究所更多>>
发文主题:电路电磁脉冲超大规模集成电路EMPCPU更多>>
发文领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊:《Journal of Semiconductors》《微处理机》更多>>
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新型的L80C86 CPU电路电磁脉冲试验方法
《微处理机》2006年第6期22-23,27,共3页郑虹 刘丽娜 高松 丰洋 许仲德 
介绍了一种新型的CPU类器件的EMP效应模拟试验方法,通过比较脉冲前后测量波形及CPU寄存器存数的变化,能够更科学地反映电磁脉冲对CPU类电路的影响,得到的结果客观、准确。
关键词:中央处理器 电磁脉冲 寄存器 试验方法 
SEU的二维数值模拟被引量:1
《微处理机》2005年第1期37-39,共3页宋哲 王莉 陆剑侠 许仲德 
本文阐述了单粒子效应原理和损伤机理,对MEDICI软件进行了简要介绍。运用MEDICI软件分别对体硅和SOI(Silicon-On-Insulator)衬底材料进行CMOS SRAM的SEU(Single -Event Upset)模拟实验,得出实验结果,并对实验结果进行分析,证明了SOI材...
关键词:SEU模  SOI 抗辐射 
CPU-80C86电路对EMP的敏感性研究
《微处理机》2004年第6期4-5,共2页王天科 刘霞 许仲德 
本文介绍了对CPU类超大规模集成电路 (VLSI)首次进行的EMP效应的敏感性模拟试验 ,并简单描述了电磁脉冲方波注入对
关键词:中央处理器 超大规模集成电路 电磁脉冲 
扫描电子显微镜在半导体工艺中的应用技术研究被引量:1
《微处理机》2004年第3期10-11,共2页王嵩宇 徐宁 袁凯 苏秀娣 许仲德 李宏 林厚军 
针对半导体工艺的需要 ,本文提供了利用扫描电子显微镜进行分析的机理及采用的关键技术手段。
关键词:扫描电子显微镜 解理 缀饰 
CMOS/SOD抗核加固电路辐照后的恢复特性
《吉林大学自然科学学报》1999年第3期72-74,共3页王怀荣 姚达 苏秀娣 许仲德 陆剑侠 顾长志 金曾孙 
以金刚石膜作为绝缘埋层, 利用金刚石膜上的薄层硅( S O D)技术, 制作 54 H C T03 C M O S/ S O D 结构的集成电路. 对该电路在辐照后的恢复特性进行研究. 结果表明, S O D 电路在大剂量辐照后的恢复能...
关键词:集成电路 抗辐射 恢复 CMOS/SOD电路 抗核加固 
带RAM的L81C55并行接口电路的研制
《微处理机》1999年第3期9-12,共4页喻德顺 许仲德 闫玉娥 
简介了 L81 C5 5的主要功能和制造工艺 ,并论述了 MOS管阈值电压
关键词:并行接口 RAM L81C55 单片机 
CMOS/SOD电路的高温工作特性
《Journal of Semiconductors》1997年第9期688-691,共4页顾长志 金曾孙 孟强 邹广田 陆剑侠 苏秀娣 许仲德 姚达 王怀荣 
采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘理层,利用金刚石膜上的薄层硅(SOD)技术,制作了54HCTO3CMOS/SOD结构的集成电路.对该电路高温下的工作特性进行了研究.结果表明SOD电路在350℃下仍具有正常的逻辑功能,...
关键词:金刚石膜 CMOS/SOD IC 高温工作特性 
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