CMOS/SOD电路的高温工作特性  

High Temperature Characteristics of CMOS/SOD Circuit

作　　者：顾长志[1] 金曾孙[1] 孟强[1] 邹广田[1] 陆剑侠[2] 苏秀娣[2] 许仲德[2] 姚达[2] 王怀荣[2] 

机构地区：[1]吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春130023 [2]东北微电子研究所,沈阳110035

出　　处：《Journal of Semiconductors》1997年第9期688-691,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘理层，利用金刚石膜上的薄层硅（SOD）技术，制作了54HCTO3CMOS／SOD结构的集成电路．对该电路高温下的工作特性进行了研究．结果表明SOD电路在350℃下仍具有正常的逻辑功能，其工作温度明显高于体硅电路。Diamond film with high resistivity and thermal conductivity is used as buried insulator in SOD (silicon on diamond) technology. 54HCT03 CMOS/SOD integrated circuit is fabricated by using SOD wafer. The high temperature characteristics of SOD circuit are studied, and the results show that the SOD circuit can be used at the temperature of 350℃, this working temperature is clearly higher than that of the bulk silicon circuit.

关 键 词：金刚石膜 CMOS/SOD IC 高温工作特性 

分 类 号：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学] TN304.18