王嵩宇

作品数：5被引量：2H指数：1
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SEM在半导体工艺研究中的应用实例被引量：1
《电子与封装》2012年第12期40-43,共4页王嵩宇 刘剑 宁润涛 
根据半导体工艺的需要,介绍了利用SEM分析工艺问题的方法。主要包括样品的解理、缀饰及为提高导电性所采用的镀膜方法比对,其中高效、准确的解理定位是重要前提。三个典型案例中,埋层漂移是在问题刚显露时就得到及时分析、彻底解决;而M...
关键词：解理 缀饰 微型机电系统 硅的局部氧化 关键尺寸 
集成电路工艺问题的SEM诊断
《电子显微学报》2005年第4期389-389,共1页王嵩宇 单成国 孙伯森 
关键词：扫描电镜(SEM) 工艺问题 集成电路 诊断 加固工艺 抗辐射 
扫描电子显微镜在半导体工艺中的应用技术研究被引量：1
《微处理机》2004年第3期10-11,共2页王嵩宇 徐宁 袁凯 苏秀娣 许仲德 李宏 林厚军 
针对半导体工艺的需要 ,本文提供了利用扫描电子显微镜进行分析的机理及采用的关键技术手段。
关键词：扫描电子显微镜 解理 缀饰 
双层金属化工艺中绝缘介质的SEM研究
《微处理机》2003年第3期10-11,共2页王嵩宇 路海林 袁凯 郭长厚 
本文介绍了扫描电子显微镜 ( SEM)的器件剖面分析技术 ,并对双层金属化工艺中的技术难点进行了分析和研究。
关键词：双层金属化工艺 绝缘介质 SEM 集成电路 扫描电子显微镜 
LPCVDLTO的工艺研究
《微处理机》1997年第4期16-17,32,共3页王嵩宇 王丽华 
本文以热力学与统计物理的理论为基础，对LPCVDLTO（低温氧化）工艺出现的问题进行了数理分析，从而确定了分子热运动的平均自由程与流量比及淀积压力之间的关系，并用其指导实际工作，从根本上解决反应气流不稳定这一技术难题。
关键词：LTO工艺 LPCVDLTO 集成电路 工艺 
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