双层金属化工艺中绝缘介质的SEM研究  

The Sem Study of Insulation Medium in Doublelevel Metelization Technology

作　　者：王嵩宇[1] 路海林[1] 袁凯[1] 郭长厚[1] 

机构地区：[1]东北微电子研究所,沈阳110032

出　　处：《微处理机》2003年第3期10-11,共2页Microprocessors

摘　　要：本文介绍了扫描电子显微镜 ( SEM)的器件剖面分析技术 ,并对双层金属化工艺中的技术难点进行了分析和研究。The text introduce the analysis technique of the SEM device section,analyze and study the hard pots of doublelevel metalization technology.

关 键 词：双层金属化工艺 绝缘介质 SEM 集成电路 扫描电子显微镜 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学] TN16