宁润涛

作品数:6被引量:5H指数:1
导出分析报告
供职机构:中国电子科技集团公司第四十七研究所更多>>
发文主题:VDMOS虚拟制造场效应器件比导通电阻元胞更多>>
发文领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊:《微处理机》《电子与封装》《辽宁大学学报(自然科学版)》《科技创新导报》更多>>
-

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
条 记 录,以下是1-6
视图:
排序:
几种功率MOSFET元胞结构的比较
《科技创新导报》2014年第16期81-81,共1页宁润涛 赵欢 王秀明 
对几种常见功率MOSFET的元胞结构、工艺流程和电学参数特点进行了介绍和分析,指出了各类元胞结构的优缺点和工艺实现上的难点,给出了对不同的电压范围应采用的元胞结构的意见。
关键词:功率MOSFET 元胞 工艺流程 
SEM在半导体工艺研究中的应用实例被引量:1
《电子与封装》2012年第12期40-43,共4页王嵩宇 刘剑 宁润涛 
根据半导体工艺的需要,介绍了利用SEM分析工艺问题的方法。主要包括样品的解理、缀饰及为提高导电性所采用的镀膜方法比对,其中高效、准确的解理定位是重要前提。三个典型案例中,埋层漂移是在问题刚显露时就得到及时分析、彻底解决;而M...
关键词:解理 缀饰 微型机电系统 硅的局部氧化 关键尺寸 
一种基于双极工艺的积分型单稳态结构设计
《微处理机》2011年第1期5-6,10,共3页高加亭 宁润涛 
经过对积分型单稳态原理的分析,设计了一种基于双极工艺的积分型单稳态结构。spectre仿真结果表明,该种单稳态结构只有一个稳态和一个0.5μs的暂稳态。并且暂稳态的时间与触发脉冲时间无关,只与电路结构有关。
关键词:单稳态 积分型 双极工艺 
P型200伏VDMOS的设计与工艺被引量:1
《微处理机》2008年第3期11-13,共3页姚达 宁润涛 
根据P型VDMOS的特点,对实际的P型VDMOS工艺流程的特殊之处与常规MOS工艺和N型VDMOS工艺进行了对比,提出了较为合理的工艺流程。并利用工艺模拟软件对工艺流程进行了模拟,通过将已知工艺参数与工艺模拟软件结合起来使用,将模拟结果直接...
关键词:VDMOS 工艺流程 阈值电压 
利用Tsuprem4和Medici对200伏VDMOS进行虚拟制造被引量:3
《辽宁大学学报(自然科学版)》2006年第1期42-45,共4页孙嘉兴 宁润涛 胡子阳 张俊松 赵庆哲 
通过将已知工艺参数与工艺模拟软件Tsuprem4结合起来,将模拟结果直接导入器件模拟软件M ed ic i,对击穿电压及阈值电压,终端保护环进行了模拟计算,获得了具体的设计参数,并对利用这两个软件进行虚拟制造的过程中需要注意的问题进行了阐述.
关键词:虚拟制造 工艺参数 终端保护环 
Aptix硬件仿真器
《辽宁大学学报(自然科学版)》2005年第4期350-352,共3页石广源 胡子阳 宁润涛 王福君 
随着设计复杂程度的增加,RTL级仿真验证时间大幅度增加,已经成为设计的瓶颈.使用硬件仿真器可以加快仿真速度,提高仿真效率,是设计百万门以上电路的不可或缺的工具.
关键词:Aptix 硬件仿真器 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部