几种功率MOSFET元胞结构的比较  

作　　者：宁润涛[1] 赵欢[1] 王秀明 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳110032 [2]沈阳教育研究院,沈阳110031

出　　处：《科技创新导报》2014年第16期81-81,共1页Science and Technology Innovation Herald

摘　　要：对几种常见功率MOSFET的元胞结构、工艺流程和电学参数特点进行了介绍和分析,指出了各类元胞结构的优缺点和工艺实现上的难点,给出了对不同的电压范围应采用的元胞结构的意见。

关 键 词：功率MOSFET 元胞 工艺流程 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]