利用Tsuprem4和Medici对200伏VDMOS进行虚拟制造  

Virtual Fabrication of 200 Volt VDMOS by Tsuprem4 and Medici

作　　者：孙嘉兴[1] 宁润涛[1] 胡子阳[1] 张俊松[1] 赵庆哲[1] 

机构地区：[1]辽宁大学物理系,辽宁沈阳110036

出　　处：《辽宁大学学报（自然科学版）》2006年第1期42-45,共4页Journal of Liaoning University：Natural Sciences Edition

摘　　要：通过将已知工艺参数与工艺模拟软件Tsuprem4结合起来,将模拟结果直接导入器件模拟软件M ed ic i,对击穿电压及阈值电压,终端保护环进行了模拟计算,获得了具体的设计参数,并对利用这两个软件进行虚拟制造的过程中需要注意的问题进行了阐述.By combining techinal parameters with techinal simulation software Tsuprem4, we put simulation result into medici, which at last obtain the calculation of breakdown voltage, threshold voltage and teminatin guard ring. And the problems of doing virtual fabrication by the two programs are discussed.

关 键 词：虚拟制造 工艺参数 终端保护环 

分 类 号：TP386.1[自动化与计算机技术—计算机系统结构]