IC抗辐射加固的方法  

Method of Radiation-Hardened IC

作　　者：陈桂梅[1] 许仲德[1] 苏秀娣[1] 

机构地区：[1]电子工业部东北微电子研究所,沈阳110032

出　　处：《微处理机》1998年第4期18-19,32,共3页Microprocessors

摘　　要：本文主要介绍电离辐射引起的CMOS集成电路的失效机理，并结合我所研制的L54HCT型抗辐射加固电路，提出了抗辐射加固技术的方法。The principle of ionized radiation for CMOS IC is mainly introduced in this paper. The method of radiation - hardened technology is pointed out, according the fabrication of radiationhardened L54HCT.

关 键 词：抗辐射加固 L54HCT 集成电路 CMOS电路 

分 类 号：TN432.05[电子电信—微电子学与固体电子学]