陈桂梅

作品数：1被引量：4H指数：1
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IC抗辐射加固的方法被引量：4
《微处理机》1998年第4期18-19,32,共3页陈桂梅 许仲德 苏秀娣 
本文主要介绍电离辐射引起的CMOS集成电路的失效机理，并结合我所研制的L54HCT型抗辐射加固电路，提出了抗辐射加固技术的方法。
关键词：抗辐射加固 L54HCT 集成电路 CMOS电路 
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