Fe掺杂SnO2基稀磁半导体超精细场的第一性原理计算  

作　　者：张乔丽 袁大庆 张焕乔 范平 左翼 郑永男 朱升云 

机构地区：[1]核物理研究所

出　　处：《中国原子能科学研究院年报》2012年第1期115-116,共2页

摘　　要：正稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductor)作为一种可能的自旋电子学(Spintronics)器件材料,在信息科学方面具有巨大的应用前景。在稀磁半导体材料研究中。

关 键 词：稀磁半导体 电子掺杂 自旋电子学 第一性原理计算 信息科学 应用前景 材料研究 电子结构 磁超精细场 磁矩 

分 类 号：O469[理学—凝聚态物理] TN303[理学—电子物理学]