电子技术基础(1)期末复习提要  

作　　者：沈雅芬[1] 

机构地区：[1]中央电大

出　　处：《现代远程教育研究》1998年第11期69-73,共5页Modern Distance Education Research

摘　　要：1 半导体二极管、三极管和 MOS 管1.1 掌握的内容半导体（硅）二极管开关应用时开关条件和开关状态下的特点,半导体三极管（NPN 型硅管）截止、放大、饱和三种工作状态的条件及特点,NMOS 管开关应用时开关条件和开关状态下的特点。1.2 熟悉的内容半导体硅二极管的伏安特性曲线、主要参数 I_F,I_R,U_（BR）的物理意义,半导体三极管（NPN 硅管）输入特性和输出特性曲线、主要参数β,a,I_CBO,I_CEO,I_CM,P_CM,U_（BR）CEO的物理意义,NMOS 管主要参数 U_TN的物理意义及三个工作区域的特点。1.3

关 键 词：电子技术基础 主要参数 物理意义 半导体三极管 开关应用 开关状态 伏安特性曲线 半导体二极管 输出特性曲线 输入特性 

分 类 号：TN710-4[电子电信—电路与系统]