多晶硅薄膜内应力的SEM测定法  

作　　者：王云珍[1] 石艳泠 万培明 

机构地区：[1]华东师范大学电子科学技术系

出　　处：《传感技术学报》1993年第3期54-56,共3页Chinese Journal of Sensors and Actuators

摘　　要：多晶硅膜内应力的存在影响传感器的性能.本文介绍了内应力的SEM测定法和减小应力的途径.1 多晶硅微结构多晶硅膜采用LPCVD方法淀积,淀积温度为650℃,低压约为133Pa,微结构如图1所示.改变多晶硅微结构的长、宽及膜的厚度,得到不同的微结构.供SEM观察用,具体尺寸见表1.

关 键 词：多晶 硅 薄膜 SEM 测定法 

分 类 号：TN304.120[电子电信—物理电子学]