王云珍

作品数：10被引量：5H指数：1
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供职机构：复旦大学信息科学与工程学院电子工程系更多>>
发文主题：掺氧多晶硅微机械技术多孔硅LPCVD多晶硅更多>>
发文领域：电子电信机械工程更多>>
发文期刊：《微电子学与计算机》《传感技术学报》《半导体技术》《功能材料与器件学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国科学院重点实验室基金更多>>
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用于微机械器件和微电子机械系统的关键技术——微机械技术被引量：1
《功能材料与器件学报》1998年第4期217-223,共7页王渭源 鲍敏杭 赖宗声 陆德仁 沈绍群 王效东 王云珍 
国家机械部八五攻关;国家自然科学基金;上海市科委;中国科学院重点资助项目
微机械技术是研究，生产微机械器件和微电子机械系统的关键技术，熟练掌握并不容易。本文总结了三个单位为时数年在微机械技术方面的研究成果，重点介绍我们首创的三项技术，即自对准的准三维加工技术，硅三维结构的无掩模腐蚀技术和硅...
关键词：微机械技术 微电子机械系统 微机械器件 
多孔硅微机械技术的薄膜量热传感器结构研究
《华东师范大学学报（自然科学版）》1997年第2期45-50,共6页赖宗声 王新君 王云珍 
国家自然科学基金
多孔硅的形成和刻蚀技术是一项新型的表面微机械加工技术，我们以多孔硅为牺牲层，利用多孔硅的选择性生长机理，以及利用在高阻衬底上横向形成速率大于纵向形成速率的特点，得到了距衬底很深的微桥、微梁、微沟道等微结构，并设计研制...
关键词：多孔硅 微机械加工 刻蚀 薄膜 量热传感器 
多孔硅的形成及其在表面微机械技术中的应用被引量：1
《半导体技术》1996年第6期38-41,共4页王新君 赖宗声 王云珍 
传感技术国家重点实验室资助;国家自然科学基金;中科院核分析技术开放研究实验室资助
介绍了多孔硅的基本特性及其形成的选择性，最后介绍了多孔硅在表面微机械技术中的应用。
关键词：多孔硅 形成 表面微机械技术 
多晶硅薄膜内应力的SEM测定法
《传感技术学报》1993年第3期54-56,共3页王云珍 石艳泠 万培明 
多晶硅膜内应力的存在影响传感器的性能.本文介绍了内应力的SEM测定法和减小应力的途径.1 多晶硅微结构多晶硅膜采用LPCVD方法淀积,淀积温度为650℃,低压约为133Pa,微结构如图1所示.改变多晶硅微结构的长、宽及膜的厚度,得到不同的微结...
关键词：多晶 硅 薄膜 SEM 测定法 
SIPOS—Si异质结二极管
《微电子学与计算机》1992年第4期4-6,共3页王云珍 黄碧琳 张军 
文章主要研究n'p、p'n和p'p三种SIPOS(半绝缘多晶硅)-Si异质结二极管的I-V特性,并算出了相应的理想因子和势垒高度。在同样掺杂条件下,异质结具有比同质结二极管更高的注入比、更高的反向击穿电压和低漏电流。
关键词：二极管 异质结 半绝缘多晶硅 
LPCVD掺氧多晶硅电学特性研究被引量：1
《电子科学学刊》1991年第4期372-377,共6页潘尧令 王云珍 王济身 
本文通过测量电导率特性对LPCVD掺氧多晶硅(SIPOS)的电学特性进行了研究。结果表明,SIPOS的电学特性与其含氧量和退火温度有关。SIPOS的含氧量增加,其电导率下降;在退火过程中,随退火温度的不同,SIPOS的电导率的变化存在两个不同过程:...
关键词：掺氧 多晶硅 汽相淀积 电学特性 
掺氧多晶硅(SIPOS)薄膜结晶学性质研究
《固体电子学研究与进展》1990年第4期364-368,共5页潘尧令 王云珍 王济身 
本文用XRD,RHEED和SEM对LPCVD掺氧多晶硅的结晶学性质进行了研究.结果表明,对于含氧量为8～37at%预淀积SIPOS薄膜其结构呈无定形.当进行高温热退火(T_a≥900℃)时,薄膜经历了一个再结晶过程.晶粒度的大小与退火条件有关;而修氧多晶硅中...
关键词：掺氧多晶硅 薄膜 结晶学 硅 
LPCVD掺氧多晶硅薄膜淀积及其特性
《半导体技术》1990年第4期51-55,46,共6页潘尧令 王云珍 
本文对LPCVD掺氧多晶硅的工艺特性进行了研究,尤其是分析和讨论了在LPCVD系统中淀积温度、反应气体流量比(N_2O/SiH_4)及硅烷(SiH_4)流量对SIPOS薄膜的工艺参数及薄膜性质的影响,并对LPCVD-SIPOS的有关性质进行了讨论。
关键词：多晶硅薄膜 掺氧 淀积 LPCVD 
用Raman光谱研究掺氧多晶硅的微结构被引量：2
《Journal of Semiconductors》1989年第7期534-537,共4页王云珍 潘尧令 
本文用Raman谱特征和Raman峰强度的变化,揭示掺氧多晶硅(SIPOS)的微结构:对于各种氧含量(从8％到38％)的SIPOS生长膜是一种无序结构,其中元素Si呈无定形相.高温(T>900℃)热退火后,薄膜经历了一个再结晶过程,并出现了微晶区,Si微晶尺寸...
关键词：喇曼光谱 掺氧多晶硅 结构 粒度 
半绝缘多晶硅在MOS集成电路上的应用
《微电子学与计算机》1989年第6期12-13,共2页王云珍 潘尧令 刘一彬 宋非迟 
半绝缘多晶硅(SIPOS)是一种掺氧多晶硅,其电阻率一般在10~8～10^(10)Ω·cm范围。在半导体器件中,用它取代SiO_2作钝化膜具有良好的钝化作用。本文主要介绍SIPOS钝化技术在MOS集成电路上的应用。
关键词：MOS集成电路 半绝缘多晶硅 
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