SIPOS—Si异质结二极管  

SIPOS-Si Heterojunction Diode

作　　者：王云珍[1] 黄碧琳[1] 张军 

机构地区：[1]华东师范大学电子系,上海200062

出　　处：《微电子学与计算机》1992年第4期4-6,共3页Microelectronics & Computer

摘　　要：文章主要研究n'p、p'n和p'p三种SIPOS(半绝缘多晶硅)-Si异质结二极管的I-V特性,并算出了相应的理想因子和势垒高度。在同样掺杂条件下,异质结具有比同质结二极管更高的注入比、更高的反向击穿电压和低漏电流。In this paper, we'll introduce the Ⅰ—Ⅴ charateristics of SIPOS-Si heterojunction for n^+p, p^+n and p^+p.We calculated the correspondent ideal factor n and barrier height φ_b, The higher breakdown voltage and lower leakage current in SIPOS—Si heterojunction have been seen.

关 键 词：二极管 异质结 半绝缘多晶硅 

分 类 号：TN31[电子电信—物理电子学]