半绝缘多晶硅

作品数：13被引量：8H指数：2
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高性能场终止寿命控制FRD芯片工艺研究被引量：1
《集成电路应用》2017年第8期45-50,共6页刘建华 郎金荣 周卫平 
上海市科学技术委员会科技创新行动计划高新技术基金(17DZ1100300)
快恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)是重要的功率器件,广泛应用于智能电网、新能源汽车、光伏和轨道牵引等重要场合,具有重要的战略意义和市场价值。为了突破FRD的关键技术瓶颈,本项目研究了高性能场终止寿命控制1 200 V等系列FRD...
关键词：功率器件 快恢复二极管 载流子寿命控制 场终止 软度因子 半绝缘多晶硅 
具有半绝缘多晶硅完全三维超结横向功率器件被引量：1
《物理学报》2015年第18期425-431,共7页曹震 段宝兴 袁小宁 杨银堂 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2014CB339900,2015CB351906);国家自然科学基金重点项目(批准号:61234006,61334002);陕西省科技统筹项目(批准号:DF0105142502)资助的课题~~
为了突破传统LDMOS(lateral double-diffused MOSFET)器件击穿电压与比导通电阻的硅极限的2.5次方关系,降低LDMOS器件的功率损耗,提高功率集成电路的功率驱动能力,提出了一种具有半绝缘多晶硅SIPOS(semi-insulating poly silicon)覆盖...
关键词：super JUNCTION 半绝缘多晶硅 击穿电压 比导通电阻 
功率半导体器件终端SIPOS/PI复合钝化结构研究
《辽宁大学学报（自然科学版）》2010年第1期11-14,共4页郑英兰 王颖 钟玲 吴春瑜 
本文采用直流辉光放电法在台面功率半导体器件上生长SIPOS钝化膜.研究结果表明,SIPOS钝化的功率器件性能要好于聚酰亚胺钝化的功率器件,可以有效地提高功率器件的可靠性.基于此提出了SIPOS/PI复合钝化结构来改善台面功率半导体器件的表...
关键词：斜角造型器件 半绝缘多晶硅 漏电流 钝化 
半绝缘多晶硅SIPOS工艺与应用被引量：4
《电子与封装》2007年第7期28-31,共4页俞诚 李建立 吴丹 吉鹏程 刘文龙 黄强 
反向击穿电压较高的半导体器件,一般采用台面玻璃钝化工艺,但这种工艺有不少弊端。因此人们一直努力使高耐压半导体器件工艺平面化,而在这当中表面钝化工艺的选择与应用是个关键。半绝缘多晶硅(SIPOS)的开发几乎与高压平面器件工艺的研...
关键词：高反压 平面工艺 钝化 半绝缘 含氧量 多晶硅 
SIPOS纵向结构对晶体管电压特性的影响被引量：2
《半导体技术》2003年第4期37-39,共3页石青宏 厉策 王军 何慧强 
通过对半绝缘多晶硅(SIPOS)膜纵向结构均匀性不同结果的对比,论述了SIPOS膜成分的纵向结构分布对晶体管的钝化作用的影响,同时根据实际生产提出一些改进SIPOS膜结构的方法。
关键词：SIPOS 纵向结构 晶体管 电压特性 半绝缘多晶硅 掺氧多晶硅 膜结构 
3DK20900高反压大功率硅NPN晶体管的研制
《黑龙江电子技术》1996年第2期1-3,共3页韩春辉 孙学文 
本文较详细地介绍了3KD20900高反压大功率硅NPN晶体管的研制过程和生产工艺。该器件最大集电极电流I_(cm)=20A,最大耗散功率P_(cm)=250W,C-E结反向击穿电压V_[(BR)(ceo)]≥900V,C-B结反向击穿电压V_[(BR)(cbo)]≥1200V,属国内首创,技术...
关键词：高反压 大功率 晶体管 半绝缘多晶硅 
半绝缘多晶硅薄膜的制备与应用
《微电子学》1995年第1期45-52,共8页尹贤文 
本文对ＬＰＣＶＤ半绝缘多晶硅（ＳＩＰＯＳ）薄膜工艺进行了研究，分析和讨论了工艺参数对薄膜淀积过程以及性能的影响。并较详细介绍了ＳＩＰＯＳ薄膜在高压功率器件领域的应用。
关键词：LPCVD 半绝缘多晶硅 高压功率器件 SIPOS 薄膜 
半绝缘多晶硅在高可靠大功率硅开关三极管中的应用
《电子工艺技术》1994年第4期16-18,21,共4页张京俊 邹秋芝 邓子龙 陶广斌 吕秀昭 
介绍了掺氧半绝缘多晶硅（Ｏ一ＳＩＰＯｓ）及掺氮半绝缘多晶硅（Ｎ一ＳＩＰＯＳ）薄膜的制备方法，生长条件及其在高可靠大功率开关三极管３ＤＫ１０６中的应用，以及主要电参数的测试结果，并且对本工艺所带来的特点进行了初步分析。
关键词：半绝缘多晶硅 大功率 开关晶体管 
半绝缘多晶硅在大功率开关管3DK106中的应用
《半导体技术》1994年第6期45-48,共4页张京俊 邹秋芝 邓子龙 陶广斌 吕秀昭 
介绍了掺氧半绝缘多晶硅（Ｏ－ＳＩＰＯＳ）及掺氮半绝缘多晶硅（Ｎ－ＳＩＰＯＳ）薄膜的制备方法、生长条件及其在高可靠大功率开关三极管３ＤＫ１０６中的应用，以及主要电参数的测试结果，并且对本工艺所带来的特点进行了初步分析。
关键词：掺氧 半绝缘 多晶硅 大功率开关管 薄膜 
SIPOS—Si异质结二极管
《微电子学与计算机》1992年第4期4-6,共3页王云珍 黄碧琳 张军 
文章主要研究n'p、p'n和p'p三种SIPOS(半绝缘多晶硅)-Si异质结二极管的I-V特性,并算出了相应的理想因子和势垒高度。在同样掺杂条件下,异质结具有比同质结二极管更高的注入比、更高的反向击穿电压和低漏电流。
关键词：二极管 异质结 半绝缘多晶硅 
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