3DK20900高反压大功率硅NPN晶体管的研制  

作　　者：韩春辉 孙学文 

机构地区：[1]哈尔滨晶体管厂,工程师邮政编码150010

出　　处：《黑龙江电子技术》1996年第2期1-3,共3页

摘　　要：本文较详细地介绍了3KD20900高反压大功率硅NPN晶体管的研制过程和生产工艺。该器件最大集电极电流I_(cm)=20A,最大耗散功率P_(cm)=250W,C-E结反向击穿电压V_[(BR)(ceo)]≥900V,C-B结反向击穿电压V_[(BR)(cbo)]≥1200V,属国内首创,技术性能指标基本达到国际同类军用产品水平。

关 键 词：高反压 大功率 晶体管 半绝缘多晶硅 

分 类 号：TN323.8[电子电信—物理电子学]