高反压

作品数：33被引量：20H指数：3
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新型基区结构高反压功率晶体管的优化
《半导体技术》2019年第3期177-184,共8页杨宝平 江昆 黄锋 
国家自然科学基金资助项目(31660482);湖北省教育厅科学技术研究项目(B2018187)
依据电参数指标要求,针对高压-高增益硅功率晶体管基区结构和终端结构进行优化研究。提出了一种可用于改善集电极-发射极击穿电压(V_((BR)CEO))和电流放大倍数(β)矛盾关系的带埋层的新型基区结构,并针对埋层基区结构对高压-高增益硅功...
关键词：高增益 功率晶体管 埋层基区 终端保护 击穿电压 
增压浸没燃烧装置中高反压燃烧器数值模拟研究被引量：3
《陶瓷学报》2016年第5期541-546,共6页宫小龙 朱庆霞 冯青 刘中良 江瀚 
江西省科技厅社会发展领域重点项目(2015BBG70022);江西省教育厅科技项目(GJJ14636)
分析了传统浸没燃烧技术的特点和不足,研制出增压浸没燃烧蒸发器装置。借助Fluent软件研究轴对称燃烧器在5-30atm压力下的燃烧特性。模拟计算结果表明,压力的增大提高了燃烧反应速率,强化了燃烧性能,燃料燃烧更充分;随着压力不断提高,...
关键词：增压浸没燃烧 高反压 燃烧器 数值模拟 
直流条件下高反压大功率开关晶体管可靠性研究被引量：2
《电子元件与材料》2016年第2期73-78,共6页周涛 陆晓东 吴元庆 夏婷婷 
国家自然科学基金项目资助(No.11304020)
集电极峰值电流(I_(CM))、集电极-发射极击穿电压(V_(CEO))、最大耗散功率(P_(CM))、直流二次击穿临界电压(V_(SB))是衡量大功率晶体管可靠性优劣的重要指标。依据实际电参数指标要求,首先利用TCAD半导体器件仿真软件完成了一款基于三...
关键词：大功率 晶体管 集电极峰值电流 饱和压降 击穿电压 二次击穿 
半绝缘多晶硅SIPOS工艺与应用被引量：4
《电子与封装》2007年第7期28-31,共4页俞诚 李建立 吴丹 吉鹏程 刘文龙 黄强 
反向击穿电压较高的半导体器件,一般采用台面玻璃钝化工艺,但这种工艺有不少弊端。因此人们一直努力使高耐压半导体器件工艺平面化,而在这当中表面钝化工艺的选择与应用是个关键。半绝缘多晶硅(SIPOS)的开发几乎与高压平面器件工艺的研...
关键词：高反压 平面工艺 钝化 半绝缘 含氧量 多晶硅 
背投彩电易损坏元器件及新型元器件代换注意事项(下)
《家电检修技术》2005年第11S期56-58,共3页王功进 王永琦 
四、大功率、高反压晶体管和带阻尼行输出管 在背投影彩色电视机中，大功率、高反压晶体管和带阻尼行输出管主要应用于场扫描和行扫描输出电路中。一般认为，行输出级电路所消耗的功率约占整机总功率的60％～70％，其耐压也是最高的。...
关键词：元器件代换 背投彩电 行扫描输出电路 背投影彩色电视机 行输出管 损坏 行输出级 总功率 高反压 
SiC紫外光电探测器高反压下增益性能的研究被引量：1
《微电子学》2005年第4期357-359,共3页黄莉敏 谢家纯 梁锦 孙腾达 
国家自然科学基金资助项目(NSFC50132040);中科院创新项目资助(KJCX2SW04)
用宽禁带半导体n4HSiC和金属Au作肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金作背底,形成欧姆接触,研制出Au/n4HSiC肖特基紫外探测器。文章测试并分析了器件在高压下的紫外光电响应的高增益特性,反压150V下,增益可达到3.8×104。在高反压下(100V以上),...
关键词：宽带隙 碳化硅 肖特基接触 光谱响应 紫外探测器 
几种特殊元器件的万用表检测法
《家电维修（大众版）》2005年第6期52-52,共1页胡永安 
行输出管的种类较多，不同种类的行管其检测方法也各不相同，由于对带阻尼行管有耐高反压的要求，故在其b、e极之间接有一只保护电阻(阻值在40Ω左右)，同时c、e极之间还接有一只二极管，其内部接线图及等效电路如图1所示。判断这类管...
关键词：检测法 万用表 元器件 行输出管 检测方法 保护电阻 等效电路 高反压 二极管 接线图 种类 行管 
0～1KV可调耐压测试仪
《电子制作》2005年第10期47-48,共2页宋嘉鸿 
本文向读者介绍一种0～1KV可调耐压测试仪。采用高压稳压源结构，具有线路简单、测量方便、制作容易等特点。并且它有以下三个好处：（1）省去了以往用恒流源测试方法所需价格昂贵的高反压恒流管；（2）解决了负阻特性的元器件测量。扩...
关键词：耐压测试仪 可调 测试方法 负阻特性 稳压源 测量 恒流管 高反压 恒流源 
分立器件市场及其封装趋势
《中国电子商情（元器件市场）》2005年第3期9-12,共4页袁启健 
半导体分立器件历史悠久，是集成电路IC前世今生的基础和先导，IC的发展与应用离不开分立器件的密切配合，二者相依为伴，尤其在大功率、大电流、高反压、高频高速、高灵敏度、低噪声、射频等诸多领域起着举足轻重和不可替代的关键作用...
关键词：半导体分立器件 趋势 封装 市场 发展与应用 半导体产业 集成电路 高灵敏度 工艺技术 产业规模 大电流 高反压 低噪声 可替代 新器件 IC 射频 
6H-SiC高反压台面pn结二极管
《Journal of Semiconductors》2001年第4期507-510,共4页王姝睿 刘忠立 李晋闽 王良臣 徐萍 
在可商业获得的单晶 6 H- Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ;并在此 6 H - Si C结构材料上 ,利用反应离子刻蚀和接触合金化技术 ,制作台面 pn结二极管 .详细测量并分析了器件的电学特性 ,测量结果表明此 6 H - Si C二...
关键词：碳化硅 PN结二极管 6H-SIC 
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