徐萍

作品数：4被引量：7H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：场效应晶体管6H-SIC碳化硅场效应器件材料特性更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
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内嵌自组装InAs量子点调制掺杂场效应管的光电特性
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期238-242,共5页曾宇昕 刘伟 杨富华 徐萍 章昊 边历峰 谭平恒 郑厚植 曾一平 
国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:2001CB309300)
研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性,获得了室温1.265μm近红外荧光发光,探讨了与量子点尺寸分布相关的发光峰随温度的超常红移现象.制备了内嵌InAs量子点的异质结调制掺杂场效应晶体管,获得了高耐压的场效应器件电学特性,并有...
关键词：INAS量子点 光致发光谱 调制掺杂 场效应晶体管 
6H-SiC高压肖特基势垒二极管被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第8期1052-1056,共5页王姝睿 刘忠立 徐萍 葛永才 姚文卿 高翠华 
在可商业获得的 N型 6 H - Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,在此结构材料上 ,通过热蒸发 ,制作 Ni/6 H- Si C肖特基势垒二极管 .测量并分析了肖特基二极管的电学特性 ,结果表明 ,肖特基二极管具有较好的整流特性 :反...
关键词：碳化硅 肖特基势垒二极管 6H-SIC 
6H-SiC高反压台面pn结二极管
《Journal of Semiconductors》2001年第4期507-510,共4页王姝睿 刘忠立 李晋闽 王良臣 徐萍 
在可商业获得的单晶 6 H- Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ;并在此 6 H - Si C结构材料上 ,利用反应离子刻蚀和接触合金化技术 ,制作台面 pn结二极管 .详细测量并分析了器件的电学特性 ,测量结果表明此 6 H - Si C二...
关键词：碳化硅 PN结二极管 6H-SIC 
InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管被引量：6
《Journal of Semiconductors》2000年第4期414-416,共3页陆大成 韩培德 刘祥林 王晓晖 汪度 袁海荣 王良臣 徐萍 姚文卿 高翠华 刘焕章 葛永才 郑东 
国家高技术 ( 863 )计划新材料领域资助项目
报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结构 ,并研制成功发射波长为 52 0— 540 nm的绿光LED.
关键词：氮化镓 InGaA/AlGaN 双异质结 绿光发光二极管 
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