姚文卿

作品数：3被引量：7H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：氮化物半导体器件负电极自钝化平面结更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
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6H-SiC高压肖特基势垒二极管被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第8期1052-1056,共5页王姝睿 刘忠立 徐萍 葛永才 姚文卿 高翠华 
在可商业获得的 N型 6 H - Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,在此结构材料上 ,通过热蒸发 ,制作 Ni/6 H- Si C肖特基势垒二极管 .测量并分析了肖特基二极管的电学特性 ,结果表明 ,肖特基二极管具有较好的整流特性 :反...
关键词：碳化硅 肖特基势垒二极管 6H-SIC 
InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管被引量：6
《Journal of Semiconductors》2000年第4期414-416,共3页陆大成 韩培德 刘祥林 王晓晖 汪度 袁海荣 王良臣 徐萍 姚文卿 高翠华 刘焕章 葛永才 郑东 
国家高技术 ( 863 )计划新材料领域资助项目
报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结构 ,并研制成功发射波长为 52 0— 540 nm的绿光LED.
关键词：氮化镓 InGaA/AlGaN 双异质结 绿光发光二极管 
用离子束混合及快速热处理方法形成钽的硅化物
《Journal of Semiconductors》1989年第9期667-671,共5页姚文卿 Heiner Rvssel 
本文描述用离子束透过钽金属膜进行混合和快速热处理方法来形成钽的硅化物.用溅射方法在P型硅衬底上淀积一层金属钽,然后用砷离子束透过钽金属模进行混合,采用快速热处理后形成了平整的硅化钽薄层.使用厚度为500埃的钽金属膜,得到钽的...
关键词：硅化钽 离子束混合 热处理 
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