InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管  

InGaN/AlGaN DH Green LED\+*

作　　者：陆大成[1] 韩培德[1] 刘祥林[1] 王晓晖[1] 汪度[1] 袁海荣[1] 王良臣[2] 徐萍[2] 姚文卿[2] 高翠华[2] 刘焕章[2] 葛永才[2] 郑东[2] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京100083 [2]中国科学院半导体研究所微电子研发中心,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2000年第4期414-416,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术 ( 863 )计划新材料领域资助项目

摘　　要：报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结构 ,并研制成功发射波长为 52 0— 540 nm的绿光LED.A Zn and Si co\|doped InGaN/AlGaN double\|heterostructure has been grown on Al\-2O\-3 substrate by LP\|MOVPE.Green LEDs with wavelength of 520~540nm have been fabricated.This is first report on green GaN based LED in China.

关 键 词：氮化镓 InGaA/AlGaN 双异质结 绿光发光二极管 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]