内嵌自组装InAs量子点调制掺杂场效应管的光电特性  

Optical and Electrical Investigation of Embedded Self-Assembled InAs Quantum Dot Modulation Doped Field-Effect-Transistors

作　　者：曾宇昕[1] 刘伟[1] 杨富华[1] 徐萍[1] 章昊[1] 边历峰[1] 谭平恒[1] 郑厚植[1] 曾一平[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第z1期238-242,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:2001CB309300)

摘　　要：研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性,获得了室温1.265μm近红外荧光发光,探讨了与量子点尺寸分布相关的发光峰随温度的超常红移现象.制备了内嵌InAs量子点的异质结调制掺杂场效应晶体管,获得了高耐压的场效应器件电学特性,并有望制成新型红外光电探测场效应管.

关 键 词：INAS量子点 光致发光谱 调制掺杂 场效应晶体管 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]