SIPOS纵向结构对晶体管电压特性的影响  

Influence of transistor voltage for SIPOS portrait structure

作　　者：石青宏 厉策 王军 何慧强 

机构地区：[1]深爱半导体有限公司,广东深圳518029

出　　处：《半导体技术》2003年第4期37-39,共3页Semiconductor Technology

摘　　要：通过对半绝缘多晶硅(SIPOS)膜纵向结构均匀性不同结果的对比,论述了SIPOS膜成分的纵向结构分布对晶体管的钝化作用的影响,同时根据实际生产提出一些改进SIPOS膜结构的方法。The influence of transistor voltage for SIPOS portrait structure is discussed bycontrast. The methods of improving the SIPOS portrait structure are discussed too.

关 键 词：SIPOS 纵向结构 晶体管 电压特性 半绝缘多晶硅 掺氧多晶硅 膜结构 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]