掺氧多晶硅

作品数：6被引量：6H指数：2
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相关机构：华东师范大学上海科技大学中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)电子科技大学更多>>
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SIPOS纵向结构对晶体管电压特性的影响被引量：2
《半导体技术》2003年第4期37-39,共3页石青宏 厉策 王军 何慧强 
通过对半绝缘多晶硅(SIPOS)膜纵向结构均匀性不同结果的对比,论述了SIPOS膜成分的纵向结构分布对晶体管的钝化作用的影响,同时根据实际生产提出一些改进SIPOS膜结构的方法。
关键词：SIPOS 纵向结构 晶体管 电压特性 半绝缘多晶硅 掺氧多晶硅 膜结构 
用掺氧多晶硅钝化技术制造高可靠高压晶体管被引量：2
《半导体情报》2001年第2期40-42,共3页王军 杨晓智 
论述了 SIPOS钝化的原理、生产 SIPOS晶体管的工艺步骤 。
关键词：SIPOS 掺氧多晶硅 平面高压技术 高压晶体管 
LPCVD掺氧多晶硅电学特性研究被引量：1
《电子科学学刊》1991年第4期372-377,共6页潘尧令 王云珍 王济身 
本文通过测量电导率特性对LPCVD掺氧多晶硅(SIPOS)的电学特性进行了研究。结果表明,SIPOS的电学特性与其含氧量和退火温度有关。SIPOS的含氧量增加,其电导率下降;在退火过程中,随退火温度的不同,SIPOS的电导率的变化存在两个不同过程:...
关键词：掺氧 多晶硅 汽相淀积 电学特性 
掺氧多晶硅(SIPOS)薄膜结晶学性质研究
《固体电子学研究与进展》1990年第4期364-368,共5页潘尧令 王云珍 王济身 
本文用XRD,RHEED和SEM对LPCVD掺氧多晶硅的结晶学性质进行了研究.结果表明,对于含氧量为8～37at%预淀积SIPOS薄膜其结构呈无定形.当进行高温热退火(T_a≥900℃)时,薄膜经历了一个再结晶过程.晶粒度的大小与退火条件有关;而修氧多晶硅中...
关键词：掺氧多晶硅 薄膜 结晶学 硅 
LPCVD掺氧多晶硅薄膜淀积及其特性
《半导体技术》1990年第4期51-55,46,共6页潘尧令 王云珍 
本文对LPCVD掺氧多晶硅的工艺特性进行了研究,尤其是分析和讨论了在LPCVD系统中淀积温度、反应气体流量比(N_2O/SiH_4)及硅烷(SiH_4)流量对SIPOS薄膜的工艺参数及薄膜性质的影响,并对LPCVD-SIPOS的有关性质进行了讨论。
关键词：多晶硅薄膜 掺氧 淀积 LPCVD 
用Raman光谱研究掺氧多晶硅的微结构被引量：2
《Journal of Semiconductors》1989年第7期534-537,共4页王云珍 潘尧令 
本文用Raman谱特征和Raman峰强度的变化,揭示掺氧多晶硅(SIPOS)的微结构:对于各种氧含量(从8％到38％)的SIPOS生长膜是一种无序结构,其中元素Si呈无定形相.高温(T>900℃)热退火后,薄膜经历了一个再结晶过程,并出现了微晶区,Si微晶尺寸...
关键词：喇曼光谱 掺氧多晶硅 结构 粒度 
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