高压晶体管

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650V CoolMOS CFD2：MOSFET
《世界电子元器件》2011年第7期31-31,共1页
英飞凌推出了650V CoolMOS CFD2，它是漏源击穿电压为650V并且集成了快速体二极管的高压晶体管。器件延续了600VCFD产品的特点，不仅可以提高能效，而且具备更软的交换功能，从而降低了电磁干扰（EMI）。
关键词：高压晶体管 电磁干扰 产品介绍 600VCFD 
高压晶体管协助开发更可靠的高能效电源
《今日电子》2009年第7期65-66,共2页
STx7N95K3系列功率MOSFET是一款950V的击穿电压级别产品，适用于通过把工作电压提高到400V或更高来降低能耗的系统。高压电源设计人员还可以使用一个单一950VMOSFET取代双晶体管电路，从而简化电路设计，缩减尺寸，减少元器件数量。
关键词：高压电源 高压晶体管 功率MOSFET 能效 开发 晶体管电路 击穿电压 工作电压 
模拟/电源
《电子产品世界》2009年第2期85-86,共2页
德州仪器新型配电开关提供高准确度限流功能；富士通用于功率放大器的CMOS逻辑高压晶体管；1．2A、1．6MHz同步升压型稳压器；欧胜Smart Power产品变得更加智能；带旁通性能ISEG用宽带低噪声放大器……
关键词：宽带低噪声放大器 电源 模拟 高压晶体管 功率放大器 POWER 限流功能 高准确度 
放大器的CMOS逻辑高压晶体管
《中国集成电路》2009年第2期2-3,共2页
富士通微电子（上海）有限公司近日宣布，富士通实验室和富士通株式会社联合开发出一款具有高击穿电压并基于逻辑制程的CMOS高压晶体管，该晶体管适用于无线设备的功率放大器。作为先进科技的先驱，富士通开发完成了世界上第一代基于45...
关键词：CMOS晶体管 高压晶体管 功率放大器 逻辑 WIMAX 富士通 击穿电压 株式会社 
适用于功率放大器的CMOS逻辑高压晶体管
《今日电子》2009年第2期111-112,共2页
该晶体管是一款具有高击穿电压并基于逻辑制程的CMOS高压晶体管，它采用新型设计结构，可满足高频应用中对晶体管需要增加击穿电压并同时避免导通电阻升高的极大挑战。它能够处理10V功率输出，这使得该晶体管能够处理用于WiMAX和其他高...
关键词：高压晶体管 功率放大器 CMOS 逻辑 击穿电压 高频应用 WIMAX 设计结构 
Actel推出Fusion融合技术
《今日电子》2005年第8期62-62,共1页
Actel公司推出Fusion融合技术，为混合信号解决方案带来可编程功能。该融合技术率先将混合信号的模拟功能和Flash内存及FPGA结构集成于单片可编程系统芯片中，有高绝缘性、三井结构和支持高压晶体管等优势，能满足混合信号系统设计的严...
关键词：Actel公司 FUSION 融合技术 推出 可编程系统芯片 混合信号 可编程功能 Flash 高压晶体管 
FPGA技术再突破 数字模拟一家亲
《电子与电脑》2005年第8期82-84,共3页任苙萍 
Actel以Flash为基础的FPGA采用某些独特的技术,包括高绝缘技术(High-isolation)、三井工艺(triple-wellprocess)技术,以及支持高压晶体管的技术,利用这些技术,可成功将模拟信号器件整合至FPGA内;并可透过与ARM7和以8051为基础的软式MCU...
关键词：FPGA技术 数字模拟 FLASH Actel 高压晶体管 处理器平台 绝缘技术 模拟信号 8051 
混合信号技术造就了体积更小的电源IC
《今日电子》2005年第7期29-29,共1页Christina Nickolas 
关键词：Semiconductor 电源IC 信号技术 体积 混合信号IC 高压晶体管 半导体技术 Smart 导通电阻 外形尺寸 AMI RDS 高电压 减小 爱华 
便携式10^(10)n/s中子发生器电路的研制
《电子元器件应用》2004年第7期37-40,共4页杨喜峰 卢涛 郭景富 陈彩云 卢洪波 
介绍200kV/2mA靶极高压倍压电路的结构,分析其等效电路,提出用增大变压器漏感的方法减小无功功率。介绍用Vicor功率模块和VMOS场效应晶体管研制的中子管气压自动控制的恒流源电路。
关键词：中子发生器 高压晶体管 漏感 气压自动控制 
高频、高压晶体管设计与制造工艺研究
《微电子技术》2001年第4期16-18,共3页蒋正勇 计建新 沈保根 石中兵 赵万里 
本文介绍了高频、高压双极型晶体管的一种设计结构和制造工艺。用该设计与工艺做出了耐压大于 2 0 0V、fT 大于 2 0
关键词：双极晶体管 高频晶体管 高压晶体管 制造工艺 设计结构 
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