高频晶体管

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SoulNote P-3前级放大器
《视听前线》2022年第2期73-73,共1页
SoulNote P-3前级采用双单声道设计,左右声道完全分离。线路采取无负反馈设计,开发了称为Type-R的独家电路,透过电阻和高频晶体管的热耦合来消除噪声,可提高信噪比,重现更丰富的声音讯息。
关键词：前级放大器 左右声道 消除噪声 高频晶体管 热耦合 
德国大幅提升GaN高频晶体管在1-2GHz的输出功率100V,功率附加效率77.3%
《半导体信息》2020年第2期11-12,共2页
德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所IAF的研究人员大幅提升了氮化镓(GaN)基高频晶体管在1-2GHz频率范围内的输出功率:器件的工作电压从50V翻倍至100V,功率附加效率(PAE)达到77.3%。研究成果晶体管的功率密度是在GHz范围内高功率应用的最...
关键词：功率附加效率 高频晶体管 放大器模块 频率范围 固体物理 GAN 输出功率 工作电压 
2035年全球石墨烯市场总量将达20亿美元
《现代材料动态》2016年第12期13-13,共1页罗敏 
随着石墨烯在一批商业产品中的应用，如：超级电容器、高频晶体管、传感器、生物医学技术，到2035年，全球石墨烯的市场需求将达20亿美元。在短期内，由于石墨烯生产技术提高、生产成本降低以及石墨稀在产品中的应用越来越多，到2020年...
关键词：市场需求 石墨 生物医学技术 超级电容器 高频晶体管 生产技术 生产成本 传感器 
GaN的发展历史
《电子工程信息》2013年第4期1-8,共8页张仁和 
根据材料的一些参数，如带隙、电子的迁移性以及标准电子速度等（表1），20世纪90年代，氮化镓（GaN）被认为是用r下一代高功率／高频晶体管的极化材料。由于缺少大块的GaN资源材料，
关键词：GAN 发展历史 资源材料 电子速度 高频晶体管 迁移性 高功率 氮化镓 
志存高远 勇攀高峰——半导体与信息科学专家王守觉院士
《科技成果管理与研究》2012年第3期F0004-F0004,共1页
王守觉，中国科学院半导体研究所研究员，中国科学院院士，是我国半导体器件与微电子奠基人之一。1958年，他在国内成功研制锗合金扩散高频晶体管；1959～1963年负责研究全部硅平面工艺技术，并成功研制了五种硅平面型晶体管；1974年成...
关键词：中国科学院半导体研究所 中国科学院院士 信息科学 大规模集成电路 高频晶体管 专家 制版技术 半导体器件 
关于3DA516仿俄大功率高频晶体管的研制
《知识经济》2011年第19期83-83,共1页安海华 李飞 席崇选 
2设计与方案确定 仿俄大功率高频晶体管，从封装形式来看此产品是圆形金属封装外形，引线为三引线设计，引出端的的材料为铜材，引出端表面镀铅锡，可直接替换原俄罗斯产品，此外形符合实际需求，更继承了俄原有设计的优点。
关键词：晶体管 高频 功率 实际需求 设计 俄罗斯 封装 产品 
120W DVB-T输出功率LDMOS超高频晶体管
《今日电子》2010年第11期67-67,共1页
600W LDMOS超高频（UHF）射频功率晶体管BLF888A是目前功能极强的LDMOS广播发射机晶体管，支持470～860MHz完整超高频带DVB-T信号，平均输出功率120W，效率可达31％以上。
关键词：超高频晶体管 LDMOS DVB-T 输出功率 广播发射机 功率晶体管 射频 信号 
恩智浦发布120W DVB-T输出功率LDMOS超高频晶体管
《电源技术应用》2010年第11期77-77,共1页
恩智浦BLF888A晶体管打造强大、高效的数字广播发射机 恩智浦半导体NXP Semfconductors N．V．（Nasdaq：NXPI）日前宣布推出广播发射机和工业用600W LDMOS超高频（UHF）射频功率晶体管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市场上功能最强大的...
关键词：超高频晶体管 LDMOS 输出功率 数字广播发射机 DVB 功率晶体管 半导体 工业用 
恩智浦120W DVB-T输出功率LDMOS超高频晶体管BLF888A
《半导体信息》2010年第5期27-27,共1页章从福 
关键词：BLF888A DVB-T LDMOS 输出功率 恩智浦 广播发射机 低热阻 广播设备 发射机系统 结温 
王守觉
《高科技与产业化》2010年第7期1-1,共1页
半导体电子学家，中国科学院半导体研究所研究员。 王守觉院士1958年在国内首次研制成功锗合金扩散高频晶体管，应用于我国研制的晶体管化高速计算机。1959—1963年负责研究成功全部硅平面工艺技术，并研制成功五种硅平面型晶体管。
关键词：中国科学院半导体研究所 高频晶体管 半导体电子学 高速计算机 晶体管化 平面工艺 研究员 平面型 
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