德国大幅提升GaN高频晶体管在1-2GHz的输出功率100V,功率附加效率77.3%  

出　　处：《半导体信息》2020年第2期11-12,共2页Semiconductor Information

摘　　要：德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所IAF的研究人员大幅提升了氮化镓(GaN)基高频晶体管在1-2GHz频率范围内的输出功率:器件的工作电压从50V翻倍至100V,功率附加效率(PAE)达到77.3%。研究成果晶体管的功率密度是在GHz范围内高功率应用的最重要指标之一,不仅决定了放大器模块的大小,还在更大范围上决定了系统的复杂性,而两者决定了制造成本和所需的资源.

关 键 词：功率附加效率 高频晶体管 放大器模块 频率范围 固体物理 GAN 输出功率 工作电压 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]