GaN的发展历史  

作　　者：张仁和 

出　　处：《电子工程信息》2013年第4期1-8,共8页Electronic Engineering Information

摘　　要：根据材料的一些参数，如带隙、电子的迁移性以及标准电子速度等（表1），20世纪90年代，氮化镓（GaN）被认为是用r下一代高功率／高频晶体管的极化材料。由于缺少大块的GaN资源材料，

关 键 词：GAN 发展历史 资源材料 电子速度 高频晶体管 迁移性 高功率 氮化镓 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]