650V CoolMOS CFD2：MOSFET  

出　　处：《世界电子元器件》2011年第7期31-31,共1页Global Electronics China

摘　　要：英飞凌推出了650V CoolMOS CFD2，它是漏源击穿电压为650V并且集成了快速体二极管的高压晶体管。器件延续了600VCFD产品的特点，不仅可以提高能效，而且具备更软的交换功能，从而降低了电磁干扰（EMI）。

关 键 词：高压晶体管 电磁干扰 产品介绍 600VCFD 

分 类 号：TN323.2[电子电信—物理电子学]