高频、高压晶体管设计与制造工艺研究  

Research on Design and Produce Processing for Transistors with Performance of High Frequency and High Voltage

作　　者：蒋正勇 计建新 沈保根 石中兵 赵万里 

机构地区：[1]无锡华晶微电子股份有限公司,江苏无锡214061

出　　处：《微电子技术》2001年第4期16-18,共3页Microelectronic Technology

摘　　要：本文介绍了高频、高压双极型晶体管的一种设计结构和制造工艺。用该设计与工艺做出了耐压大于 2 0 0V、fT 大于 2 0The article describes the design structure and produce processing for bipolar transistors with performance of high frequency and high voltage.The breakdown voltage of produced transistors is greater than 200V and the f T is higher than 200 MHz.

关 键 词：双极晶体管 高频晶体管 高压晶体管 制造工艺 设计结构 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]