宽带低噪声放大器

作品数：170被引量：257H指数：7
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基于氮化镓0.1µm工艺的W波段宽带低噪声放大器芯片
《空间电子技术》2025年第1期103-108,共6页陈岩 王维波 王光年 陈忠飞 祁路伟 杨帆 张亦斌 吴少兵 
国家重点研发计划(编号:2023YFF0718203)。
文章针对高速宽带无线通信系统、仪器仪表、汽车雷达、安检成像等领域对低噪声放大器的低噪声、高增益、大动态范围和高可靠性需求,研发了一款基于0.1µm氮化镓(GaN)低压工艺的宽带低噪声放大器芯片,可在W波段75GHz~110GHz全频带内工作...
关键词：W波段 宽带 0.1μm氮化镓 低噪声放大器 
一种新型噪声消除宽带低噪声放大器
《微电子学》2024年第2期196-200,共5页蓝剑逸 段吉海 李冀 
国家自然科学基金资助项目(61161003);广西精密导航技术与应用重点实验室主任基金资助项目(DH201806);广西创新驱动发展专项资金资助项目(AA22068059)。
噪声消除技术是设计低噪声放大器(LNA)时常用的技术之一,而如何解决LNA噪声与功耗的矛盾始终是设计的难点。文章提出一种新型噪声消除结构,通过主辅支路之间添加反馈回路的方式,在不增加功耗的情况下,实现了消除主辅支路噪声的目的。基...
关键词：噪声消除 低噪声放大器 反馈 辅助支路 
0.6~18.0 GHz超宽带低噪声放大器MMIC
《固体电子学研究与进展》2024年第2期125-130,共6页郝翔 王维波 闫俊达 袁巍 韩方彬 陶洪琪 
基于0.15μm GaAs E-pHEMT工艺设计并制备了一款0.6~18.0 GHz的低噪声放大器单片微波集成电路。该放大器使用一级共源共栅结构,通过负反馈实现宽带的匹配设计。同时在共栅晶体管栅极增加到地电容,共源管和共栅管漏极增加峰化电感,以提...
关键词：超宽带 低噪声放大器 共源共栅 单片微波集成电路 砷化镓 
10~20GHz宽带低噪声放大器的设计和实现
《集成电路应用》2024年第1期11-13,共3页李鑫 肖曼琳 杜鑫威 肖帅 
阐述一款采用0.25 GaAs pHEMT工艺、基于MMIC技术的10~20GHz宽带低噪声放大器设计。联合仿真结果表明,带内增益高达28dB,噪声系数低于1.9dB,输入和输出回波损耗均低于-15dB。该芯片具有宽带宽、集成度高和功耗低的特点。
关键词：电路设计 低噪声放大器 MMIC 电流复用 GAAS 
基于100 nm砷化镓pHEMT工艺的C波段宽带低噪声放大器芯片被引量：2
《天文学报》2023年第4期34-42,共9页田洪亮 何美林 刘海文 
国家自然科学基金项目(U1831201、62171363);国家重点研发计划项目(2017YFE0128200);陕西省重点研发计划国际科技合作计划重点项目(2022KWZ-15);陕西省深空探测智能信息技术重点实验室项目(2021SYS-04)资助。
作为射电天文接收机系统的关键器件,低噪声放大器的噪声和增益性能对接收机系统的灵敏度有重要影响.采用100 nm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic High Electron Mobility Transistor, pHEMT)工艺,研制了一款可覆盖C波段(4–8...
关键词：仪器 望远镜 技术:射电天文 技术:低噪声放大器 
6.5~10 GHz超宽带低噪声放大器的抗干扰设计被引量：1
《电子学报》2023年第7期1970-1976,共7页高宇飞 雷倩倩 徐化 刘启航 李连碧 冯松 
国家重点研发计划(No.2018YFB2200500)。
本文基于SMIC 28 nm CMOS工艺设计了一款应用于超宽带协议的具有带外噪声抑制功能的全集成低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA),并提出了一种新型的LC串并联两级滤波结构.通过利用滤波器极点补偿LNA带内增益的设计方法,合理设计滤波...
关键词：超宽带 零极点分析 LC滤波器 低噪声放大器 
2~18 GHz GaAs超宽带低噪声放大器MMIC被引量：1
《半导体技术》2023年第3期224-230,共7页李士卿 何庆国 戴剑 
基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计并制备了一款2~18 GHz的超宽带低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。该款放大器具有两级共源共栅级联结构,通过负反馈实现了超宽带内的增益平坦设计。在共栅晶体管的栅极增...
关键词：砷化镓(GaAs) 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 低噪声放大器(LNA) 共源共栅 超宽带 
一种高增益的宽带低噪声放大器的设计被引量：2
《微电子学》2023年第1期1-7,共7页李海鸥 余新洁 陈永和 傅涛 谢仕锋 张卫 尹怡辉 曾丽珍 
国家自然科学基金资助项目(61874036,62174041);专用集成电路与系统国家重点实验室开放课题(KVH1233021);广西创新研究团队项目(2018GXNSFGA281004);广西精密导航技术与应用重点实验室基金资助项目(DH2020013)
采用SANAN公司的0.25μm E-Mode pHEMT工艺,基于ADS仿真,设计了一款工作频率为2.0~4.2 GHz的两级级联的宽带LNA芯片。芯片采用电阻偏压的方式,实现了3.3 V单电源供电。同时,设计了一种改进型的RLC并联负反馈结构,实现了宽带匹配。仿真...
关键词：低噪声放大器 自偏置 ADS 负反馈 GAAS 
基于变压器反馈的紧凑型宽带低噪声放大器被引量：1
《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2023年第1期8-14,共7页孟伟良 文进才 
国家自然科学基金资助项目(61941103)。
运用变压器反馈技术,基于65 nm CMOS工艺设计了一款紧凑型宽带低噪声放大器。电路采用两级共源共栅结构,基于变压器的输入匹配网络实现了宽带输入匹配,漏源正反馈提高了电路的增益,漏源负反馈增强了其稳定性,电路总面积仅为0.156 mm^(2...
关键词：毫米波 低噪声放大器 共源共栅 变压器反馈 
低功耗宽带低噪声放大器的设计被引量：3
《电声技术》2023年第1期117-120,共4页张斌 汪柏康 张沁枫 孙文俊 秦战明 
分析低噪声放大器的设计原理,采用两级电流复用负反馈结构,基于砷化镓(Gallium Arsenide,GaAs)工艺,利用先进设计系统(Advanced Design System,ADS)软件仿真设计了一款低功耗宽带低噪声放大器芯片,该芯片尺寸仅为1.5 mm×0.9 mm×0.1 m...
关键词：低噪声放大器 宽带 砷化镓(GaAs) 先进设计系统(ADS) 低功耗 
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