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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:孟伟良 文进才[1] MENG Weiliang;WEN Jincai(Key Laboratory for RF Circuits and Systems,Ministry of Education,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou Zhejiang 310018,China)
机构地区:[1]杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,浙江杭州310018
出 处:《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》2023年第1期8-14,共7页Journal of Hangzhou Dianzi University:Natural Sciences
基 金:国家自然科学基金资助项目(61941103)。
摘 要:运用变压器反馈技术,基于65 nm CMOS工艺设计了一款紧凑型宽带低噪声放大器。电路采用两级共源共栅结构,基于变压器的输入匹配网络实现了宽带输入匹配,漏源正反馈提高了电路的增益,漏源负反馈增强了其稳定性,电路总面积仅为0.156 mm^(2)。仿真结果表明,设计的宽带低噪声放大器的最大增益为18.2 dB,3dB带宽为31~45 GHz,1 dB带宽为32~44 GHz。在36 GHz时,最低噪声系数为4.5 dB,1dB带宽内噪声系数均低于5.2 dB。Using transformer feedback technique,a compact broadband low noise amplifier is designed based on 65 nm CMOS process.The circuit adopts a two-stage cascode structure.The transformer-based input matching network realizes broadband input matching.The drain-source positive feedback improves the gain of the circuit,and the drain-source negative feedback enhances its stability.The total circuit area is only 0.156 mm^(2).The simulation results show that the designed wideband LNA has the maximum gain of 18.2 dB,the 3dB bandwidth of 31~45 GHz,and the 1dB bandwidth of 32~44 GHz.At 36 GHz,the lowest noise figure is 4.5 dB,and the noise figures are all below 5.2 dB in the 1dB bandwidth.
分 类 号:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]
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