LPCVD掺氧多晶硅薄膜淀积及其特性  

作　　者：潘尧令 王云珍[2] 

机构地区：[1]上海科技大学(分部)技术物理系 [2]华东师范大学电子科学技术系

出　　处：《半导体技术》1990年第4期51-55,46,共6页Semiconductor Technology

摘　　要：本文对LPCVD掺氧多晶硅的工艺特性进行了研究,尤其是分析和讨论了在LPCVD系统中淀积温度、反应气体流量比(N_2O/SiH_4)及硅烷(SiH_4)流量对SIPOS薄膜的工艺参数及薄膜性质的影响,并对LPCVD-SIPOS的有关性质进行了讨论。

关 键 词：多晶硅薄膜 掺氧 淀积 LPCVD 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]