半绝缘多晶硅在大功率开关管3DK106中的应用  

作　　者：张京俊 邹秋芝 邓子龙 陶广斌 吕秀昭 

机构地区：[1]哈尔滨晶体管厂

出　　处：《半导体技术》1994年第6期45-48,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：介绍了掺氧半绝缘多晶硅（Ｏ－ＳＩＰＯＳ）及掺氮半绝缘多晶硅（Ｎ－ＳＩＰＯＳ）薄膜的制备方法、生长条件及其在高可靠大功率开关三极管３ＤＫ１０６中的应用，以及主要电参数的测试结果，并且对本工艺所带来的特点进行了初步分析。

关 键 词：掺氧 半绝缘 多晶硅 大功率开关管 薄膜 

分 类 号：TN313.4[电子电信—物理电子学]