半绝缘多晶硅在高可靠大功率硅开关三极管中的应用  

作　　者：张京俊 邹秋芝 邓子龙 陶广斌 吕秀昭 

机构地区：[1]哈尔滨晶体管厂

出　　处：《电子工艺技术》1994年第4期16-18,21,共4页Electronics Process Technology

摘　　要：介绍了掺氧半绝缘多晶硅（Ｏ一ＳＩＰＯｓ）及掺氮半绝缘多晶硅（Ｎ一ＳＩＰＯＳ）薄膜的制备方法，生长条件及其在高可靠大功率开关三极管３ＤＫ１０６中的应用，以及主要电参数的测试结果，并且对本工艺所带来的特点进行了初步分析。

关 键 词：半绝缘多晶硅 大功率 开关晶体管 

分 类 号：TN323.6[电子电信—物理电子学]