多孔硅微机械技术的薄膜量热传感器结构研究  

Study on a New Porous-Si Micromachined Thin Film Calorimetric Sensor Structure

作　　者：赖宗声[1] 王新君[1] 王云珍[1] 

机构地区：[1]华东师范大学电子科学技术系,上海200062

出　　处：《华东师范大学学报（自然科学版）》1997年第2期45-50,共6页Journal of East China Normal University(Natural Science)

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：多孔硅的形成和刻蚀技术是一项新型的表面微机械加工技术，我们以多孔硅为牺牲层，利用多孔硅的选择性生长机理，以及利用在高阻衬底上横向形成速率大于纵向形成速率的特点，得到了距衬底很深的微桥、微梁、微沟道等微结构，并设计研制了一种绝热式量热传感器。The process of the porous silicon layer formation and etching off is a new generationsurface micromachining technology. Using porous silicon as a sacrificial layer, microbridge, microcantilever and flow channel with a large distance from the structure to the substrate is realized by its selectivity mechanism and the rapid undercutting rate in highly doped silicon. Theprototype of a new calorimetric sensor is designed and tested experimentally.

关 键 词：多孔硅 微机械加工 刻蚀 薄膜 量热传感器 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]