半绝缘多晶硅在MOS集成电路上的应用  

作　　者：王云珍[1] 潘尧令 刘一彬 宋非迟 

机构地区：[1]华东师范大学 [2]上海无线电十四厂

出　　处：《微电子学与计算机》1989年第6期12-13,共2页Microelectronics & Computer

摘　　要：半绝缘多晶硅(SIPOS)是一种掺氧多晶硅,其电阻率一般在10~8～10^(10)Ω·cm范围。在半导体器件中,用它取代SiO_2作钝化膜具有良好的钝化作用。本文主要介绍SIPOS钝化技术在MOS集成电路上的应用。

关 键 词：MOS集成电路 半绝缘多晶硅 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]