非对称ZnO/ZnMgO双量子阱内量子效率的提高  

Improvement of Internal Quantum Efficiency of Asymmetric ZnO/ZnMgO Multi-quantum Wells

作　　者：尚开[1,2] 张振中[1] 李炳辉[1] 徐海阳[3] 张立功[1] 赵东旭[1] 刘雷[1] 王双鹏[1] 申德振[1] 

机构地区：[1]发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130033 [2]中国科学院大学,北京100049 [3]东北师范大学物理学院,吉林长春130024

出　　处：《发光学报》2013年第7期872-876,共5页Chinese Journal of Luminescence

基　　金：国家自然科学基金(21100146);国家"973"计划(2011CB302006;2011CB302002)资助项目

摘　　要：在c-plane面蓝宝石衬底上生长了ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱,其内量子效率相对于对称量子阱有了显著的提高。ZnO/Zn0.85Mg0.15O的10周期对称量子阱和5周期非对称双量子阱都是利用等离子体辅助分子束外延技术制备的。ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱的内量子效率提高至对称阱的1.56倍。时间分辨光谱和光致发光谱测试结果证实,在ZnO/Zn0.85Mg0.15O非对称双量子阱中存在从窄阱到宽阱的激子隧穿过程,这是内量子效率提高的主要原因。We report a dramatic increase in the internal quantum efficiency(IQE) of ZnO/ZnMgO multi-quantum wells(MQWs) fabricated on c-plane sapphire substrate by introducing asymmetric double-quantum-well(ADQW) structure.A marked enhancement in efficiency,by as much as 1.56 times,was observed for the ZnO/ZnMgO five-period ADQW grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy(P-MBE),compared to the ten-period symmetrical MQWs with asymmetric structure.The effects of excitons tunneling from the narrow well to the wide well,which was proved by photoluminescence spectra and time-resolved photoluminescence spectroscopy,can influence the IQE.

关 键 词：ZNO 量子阱 激子隧穿 内量子效率 

分 类 号：O482.31[理学—固体物理]