SiON对Si基SiO_2AWG偏振补偿的数值分析  

Numerical Analysis for Polarization Compensation of Silica on Silicon AWG Using SiON

作　　者：安俊明[1] 郜定山[1] 李健[1] 李建光[1] 王红杰[1] 胡雄伟[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第7期858-862,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划 ( No.G2 0 0 0 0 3 660 2 );国家自然科学基金 (批准号 :6988970 1)资助项目~~

摘　　要：采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率 Si ON薄膜对 Si基 Si O2 阵列波导光栅中波导应力双折射的影响 .分析结果表明在芯区上或下表面沉积 Si ON薄膜可以明显减小 Si基 Si O2 阵列波导光栅 (AWG)中波导的应力双折射 ,但这两种补偿方法容易使模场偏移中心位置 ,不利于波导与光纤的耦合 .理想的补偿方法是在芯区上下同时补偿 ,可减小模场偏移 ,并用该方法设计了偏振无关的 1 6通道 AWG.The influence of high refraction index SiON film on stress birefringence of waveguide in silica on silicon arrayed waveguide grating(AWG) is analyzed systematically using full vector alternating direction implicit(ADI) iterative method.The result shows that the stress birefringence of the waveguide in silica on silicon AWG can be improved by depositing SiON film above or below the waveguide,but the position of the mode profile will deflect the centre of the waveguide in this condition.The deflection can be improved by depositing the SiON film both above and below the waveguide.A polarization independent 16 channels AWG is theoretically designed using this method.

关 键 词：SiON薄膜 Si基SiO2波导 应力 双折射 阵列波导光栅 偏振补偿 EEACC 4130 

分 类 号：TN929.11[电子电信—通信与信息系统]