基于NAND FLASH的多路并行存储系统中坏块策略的研究  

Research on Bad Block of the Parallel Storage System Based on NAND FLASH

作　　者：贾源泉[1] 肖侬[1] 赖明澈[1] 欧洋[1] 

机构地区：[1]国防科学技术大学计算机学院,长沙410073

出　　处：《计算机研究与发展》2012年第S1期68-72,共5页Journal of Computer Research and Development

基　　金：国家自然科学基金项目(60736013)

摘　　要：大规模固态闪存系统可以引入多路并行技术来支持高速数据传输,但随着闪存存储容量增加也需要采取有效的坏块处理机制来解决严重的坏块访存问题.面向NAND FLASH多路并行固态存储系统,提出了一种高效坏块管理策略,采取并行存储坏块编码技术来节约坏块表存储空间,减少坏块处理功耗,同时采取坏块表重构处理技术有效解决了系统中的同位置坏块难题.针对四路并行的NAND FLASH存储系统,实验结果表明:该策略节约了25%的坏块表RAM存储空间,提高了约1.5倍的查询效率,降低了约30%的坏块处理功耗,并对并行存储数量具有良好的可扩展性.大规模固态闪存系统可以引入多路并行技术来支持高速数据传输,但随着闪存存储容量增加也需要采取有效的坏块处理机制来解决严重的坏块访存问题.面向NAND FLASH多路并行固态存储系统,提出了一种高效坏块管理策略,采取并行存储坏块编码技术来节约坏块表存储空间,减少坏块处理功耗,同时采取坏块表重构处理技术有效解决了系统中的同位置坏块难题.针对四路并行的NAND FLASH存储系统,实验结果表明:该策略节约了25%的坏块表RAM存储空间,提高了约1.5倍的查询效率,降低了约30%的坏块处理功耗,并对并行存储数量具有良好的可扩展性.

关 键 词：NAND FLASH 多路并行存储系统 坏块处理策略 

分 类 号：TP3[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]