c向提拉法生长的四英寸蓝宝石单晶缺陷研究  

Study on the Defect of 4-inches Sapphire Single Crystal Grown along c-axis Direction by Czochralski Method

作　　者：彭方[1,2] 张庆礼[1] 杨华军[1,2] 王小飞[1,2] 王迪[1] 孙敦陆[1] 殷绍唐[1] 

机构地区：[1]中国科学院安徽光学精密械研究所安徽省光子器件与材料重点实验室,合肥230031 [2]中国科学院研究生院,北京100049

出　　处：《人工晶体学报》2012年第S1期143-147,共5页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：国家自然科学基金(90922003;91122021;50932005;51172236)

摘　　要：采用提拉法沿[0001]方向成功生长出了四英寸蓝宝石单晶。X射线摇摆曲线测试结果表明晶体具有较好的晶格完整性。采用化学腐蚀法并借助光学显微镜观察了(0001)面的位错及形貌。研究了腐蚀温度、腐蚀时间、机械抛光和化学抛光对位错密度及形貌的影响。计算得到平均位错密度为6190 cm-2,优于一般提拉法生长的蓝宝石单晶。采用提拉法沿[0001]方向成功生长出了四英寸蓝宝石单晶。X射线摇摆曲线测试结果表明晶体具有较好的晶格完整性。采用化学腐蚀法并借助光学显微镜观察了(0001)面的位错及形貌。研究了腐蚀温度、腐蚀时间、机械抛光和化学抛光对位错密度及形貌的影响。计算得到平均位错密度为6190 cm-2,优于一般提拉法生长的蓝宝石单晶。

关 键 词：提拉法 c轴蓝宝石 摇摆曲线 位错 

分 类 号：O7[理学—晶体学]