水热法生长的Co、Sn共掺杂ZnO晶体厚膜的顺磁性  

Paramagnetic of Sn,Co Codoped ZnO Crystals Thick Films Synthesized by Hydrothermal Method

作　　者：韦志仁[1] 马玲鸾[1] 段光杰[1] 韩伟超[1] 刘清波[1,2] 强勇[1] 高平[1] 张晓军[1] WEI Zhi-ren1,MA Ling-luan1,DUAN Guang-jie1,HAN Wei-chao1,LIU Qing-bo1,2, QIANG Yong1,GAO Ping1,ZHANG Xiao-jun1(1.Physics Science and Technology College,Hebei University,Hebei Province Key Laboratory of Optoelectronic Information Materials Baoding 071002,China;2.Baoding University,Baoding 071000,China)

机构地区：[1]河北大学物理科学与技术学院,河北省光电信息材料重点实验室 [2]保定学院

出　　处：《人工晶体学报》2012年第S1期316-320,共5页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：国家自然科学基金(50472037,50672020,50772027)

摘　　要： 采用水热法,6 mol/L KOH作为矿化剂,按物质的量比0.02∶0.5∶1添加SnO2、CoCl2和ZnO作为前驱物,填充度70%,温度430℃,以常规水热法制备的纯ZnO晶片为籽晶([0002]方向),在ZnO籽晶片上制备出多元掺杂的ZnO厚膜。厚膜呈墨绿色,EDS测量显示Co和Zn元素的相对含量为7.47∶92.53。电学测量晶体膜层为n型导电类型,载流子浓度1.15×1020cm-3,电阻率1.94×10-3Ω.cm,迁移率27.8 cm2/V.s,SQUID测量表明厚膜为顺磁性。 采用水热法,6 mol/L KOH作为矿化剂,按物质的量比0.02∶0.5∶1添加SnO2、CoCl2和ZnO作为前驱物,填充度70%,温度430℃,以常规水热法制备的纯ZnO晶片为籽晶([0002]方向),在ZnO籽晶片上制备出多元掺杂的ZnO厚膜。厚膜呈墨绿色,EDS测量显示Co和Zn元素的相对含量为7.47∶92.53。电学测量晶体膜层为n型导电类型,载流子浓度1.15×1020cm-3,电阻率1.94×10-3Ω.cm,迁移率27.8 cm2/V.s,SQUID测量表明厚膜为顺磁性。

关 键 词：稀磁半导体 氧化锌 水热法 掺杂 晶体 

分 类 号：O7[理学—晶体学]