W波段单刀双掷开关的设计与仿真  

Design and Simulation of W-Band SPDT Switch

作　　者：史源[1] 陈春红[1] 邓小东[1] 吴文[1] 

机构地区：[1]南京理工大学电光学院,南京210094

出　　处：《微波学报》2012年第S1期187-190,共4页Journal of Microwaves

摘　　要：以AIGaAs梁式引线PIN二极管MA4AGBLP912为基础,介绍了W波段单刀双掷(SPDT)开关设计仿真过程,采用微带线分布参数设计,实现了单刀双掷开关的匹配网络。该设计中采用了二极管串并联型结构,获得了较好的电性能,结果表明在中心频率93GHz附近,插入损耗IL<0.5dB,关断状态下隔离度ISO>45dB,在92GHz-94.5GHz通带内驻波比VSWR≤1.5。以AIGaAs梁式引线PIN二极管MA4AGBLP912为基础,介绍了W波段单刀双掷(SPDT)开关设计仿真过程,采用微带线分布参数设计,实现了单刀双掷开关的匹配网络。该设计中采用了二极管串并联型结构,获得了较好的电性能,结果表明在中心频率93GHz附近,插入损耗IL&lt;0.5dB,关断状态下隔离度ISO&gt;45dB,在92GHz-94.5GHz通带内驻波比VSWR≤1.5。

关 键 词：毫米波 单刀双掷开关 二极管 

分 类 号：TM564[电气工程—电器]