X波段50MW速调管电子光学系统的初步设计  被引量:3

Elementary Design of X-band 50 MW Klystron Electron Optics System

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作  者:王树忠[1] 阮存军[1] 赵鼎[1] 张长青[1] 杨修东[1] 

机构地区:[1]中国科学院高功率微波源与技术重点实验室中国科学院电子学研究所,北京100190

出  处:《微波学报》2012年第S2期259-261,共3页Journal of Microwaves

基  金:国家自然科学基金(61172015)

摘  要:采用PIC模拟程序对X波段50MW速调管的电子光学系统进行了初步的设计。设计的电子枪压缩比>120,阴极发射电流密度均匀,电子注轨迹层流性良好。模拟设计的电子枪区最大场强达到27.8kV/mm,属于可以承受的范围。采用PIC模拟程序对X波段50MW速调管的电子光学系统进行了初步的设计。设计的电子枪压缩比>120,阴极发射电流密度均匀,电子注轨迹层流性良好。模拟设计的电子枪区最大场强达到27.8kV/mm,属于可以承受的范围。

关 键 词:高压缩比 电子枪 电子光学 速调管 

分 类 号:TN122[电子电信—物理电子学]

 

参考文献:

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引证文献:

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