热激电流谱确定CZT:In中的陷阱能级(英文)  

Determination of trap levels in CZT:In by thermally stimulated current spectroscopy

作　　者：南瑞华[1] 介万奇[1] 查钢强[1] 白旭旭[2] 王蓓[3] 于晖[1] 

机构地区：[1]西北工业大学材料科学与工程学院学院凝固技术国家重点实验室,西安710072 [2]上海交通大学物理系人工结构及量子调控教育部重点实验室,上海200240 [3]空军工程大学理学院,西安710051

出　　处：《中国有色金属学会会刊：英文版》2012年第S1期148-152,共5页Transactions of Nonferrous Metals Society of China

基　　金：Projects (61274081, 50902113, 50902114) supported by the National Natural Science Foundation of China;Project (2011CB610406) supported by the National Basic Research Program of China;Project (B08040) supported by the 111 Project of China;Project (JC20100228) supported by Foundation for Fundamental Research of Northwestern Polytechnical University (NPU), China;Project (SKLSP201012) supported by the Research Fund of the State Key Laboratory of Solidification Processing (NPU), China

摘　　要：熔体法生长的半绝缘碲锌镉(Cd1-xZnxTe 或者CZT)晶体中存在着很多缺陷,这些缺陷作为陷获中心在带隙中引入了深能级,从而严重影响 CZT 的探测性能。分别采用初始上升法和同步多峰分析法(SIMPA)分析热激电流谱(TSC),从而获得了半绝缘的铟掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶体中的陷阱能级分布。结果表明:由于重叠峰的干扰,初始上升法在确定陷阱峰的最大值时会产生较大的误差;而 SIMPA法被证实适用于分离重叠峰,可同步获得较全面的陷阱能级分布。基于此,获得了半绝缘 CZT:In晶体的缺陷能级分布结果,即包含十个陷阱能级和一个影响暗电流分布的深施主能级 EDD。此外,通过EDD能级与费米能级的关系,解释了CZT:In晶体获得高阻特性的原因。熔体法生长的半绝缘碲锌镉(Cd1-xZnxTe 或者CZT)晶体中存在着很多缺陷,这些缺陷作为陷获中心在带隙中引入了深能级,从而严重影响 CZT 的探测性能。分别采用初始上升法和同步多峰分析法(SIMPA)分析热激电流谱(TSC),从而获得了半绝缘的铟掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶体中的陷阱能级分布。结果表明:由于重叠峰的干扰,初始上升法在确定陷阱峰的最大值时会产生较大的误差;而 SIMPA法被证实适用于分离重叠峰,可同步获得较全面的陷阱能级分布。基于此,获得了半绝缘 CZT:In晶体的缺陷能级分布结果,即包含十个陷阱能级和一个影响暗电流分布的深施主能级 EDD。此外,通过EDD能级与费米能级的关系,解释了CZT:In晶体获得高阻特性的原因。

关 键 词：Cd1-xZnxTe 陷获 深能级 热激电流谱 

分 类 号：O771[理学—晶体学]