GaN外延MOCVD设备反应室温度场的有限元分析及均匀性优化  

作　　者：张进成[1] 李志明[1] 郝跃[1] 王昊[1] 李培咸[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安710071

出　　处：《中国科学：信息科学》2010年第11期1537-1542,共6页Scientia Sinica(Informationis)

基　　金：国家科技重大专项(批准号:2008ZX01002-002);国家自然科学基金重大项目(批准号:60890191);中国国防科技预研项目(批准号:51308040301)资助

摘　　要：首先采用有限元分析法对自主设计的感应加热MOCVD反应室的电磁场分布进行了数值模拟,得到了反应室内磁场强度的分布和石墨基座焦耳热的分布.然后以石墨基座焦耳热分布作为温度模拟的载荷,基于热传导和热辐射模型,模拟得到了MOCVD反应室和石墨基座的温度分布.为了提高石墨基座表面温度分布的均匀性,通过将常规的石墨基座同心放置调整为偏心放置,有效地改善了温度分布均匀性,同时提高了感应加热的效率.

关 键 词：MOCVD 感应加热 电磁场 温度场 有限元分析 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]