微波铁氧体器件薄膜的制备及性能研究  

Preparation and Properties of Microwave Ferrite Thin Films

作　　者：杨已青[1] 郑梁[1] 武军[1] 刘建[1] 秦会斌[1] 胡冀[1] 徐军明[1] 

机构地区：[1]杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所,浙江杭州310018

出　　处：《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2010年第5期1-4,共4页Journal of Hangzhou Dianzi University：Natural Sciences

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60601022;60671024);浙江省自然科学基金资助项目(Y107255)

摘　　要：该文采用RF磁控溅射工艺制备了射频薄膜电感用的铁氧体薄膜。为了降低铁氧体薄膜在高频下的涡流损耗、剩余损耗等,通过对铁氧体材料的磁特性分析,研究了不同的温度、成分掺杂对铁氧体磁性能的影响,获得了矫顽力为5.619 6Guss的铁氧体薄膜,并采用SEM、XRD对铁氧体薄膜表面结构进行了表征,采用VSM对薄膜磁性能进行了测试。该文采用RF磁控溅射工艺制备了射频薄膜电感用的铁氧体薄膜。为了降低铁氧体薄膜在高频下的涡流损耗、剩余损耗等,通过对铁氧体材料的磁特性分析,研究了不同的温度、成分掺杂对铁氧体磁性能的影响,获得了矫顽力为5.619 6Guss的铁氧体薄膜,并采用SEM、XRD对铁氧体薄膜表面结构进行了表征,采用VSM对薄膜磁性能进行了测试。

关 键 词：铁氧体薄膜 磁控溅射 矫顽力 

分 类 号：TN-55[电子电信]